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2021年宁波大学物理学院考研复试大纲

作者:鸿知宁大考研网 来源:nbuky.com 浏览:1245 次 发布时间:2021/1/12

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2021年宁波大学物理学院考研复试大纲

科目代码、名称:   普通物理(力学、热学)

考试形式与试卷结构

试卷满分值及考试时间

本试卷满分为100分,考试时间为120分钟。

(二)答题方式

答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成;答案必须写在答题纸(由考点提供)相应的位置上。

(三)题型结构

计算题

二、考试科目简介

普通物理学是物理学中最基础的一门学科。它不仅是物理学各个领域的共同基础理论,而且是理、工、医学、生命科学、材料科学和信息科学等的重要的理论基础。作为物理学各专业的硕士研究生,要求对于普通物理学(力学、热学)的概念及原理有比较深入的了解。入学考试的重点放在熟练掌握质点运动学、质点动力学、动量定理、动能定理、刚体力学。熟练掌握平衡状态、理想气体状态方程、能量均分定理、热力学第一定律、热力学第二定律。掌握简单的现象和问题的处理方法,并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。

二、考试内容及具体要求

(一)熟练掌握质点运动学的基本规律,其中包括:

运动学方程,位移、速度、加速度,抛体运动,自然坐标-切向和法向,极坐标-径向和横向,相对运动。

(二)熟练掌握动量定理和动量守恒定律,其中包括:

能应用牛顿定律解题,冲量和动量定理,动量守恒定律。

(三)熟练掌握动能和势能的基本规律,其中包括:

功,动能定理,保守力,势能,功能原理,机械能守恒定律,碰撞问题。

(四)掌握角动量的基本规律,其中包括:

质点与质点系的角动量,角动量守恒定律,对称性。

(五)熟练掌握刚体力学的基本规律,其中包括:,

刚体定轴转动定律,转动惯量计算,转动中的功和能,刚体的角动量和角动量守恒定律。

(六)熟练掌握气体分子运动论的基本规律,其中包括:

平衡状态,温度,理想气体状态方程,理想气体的压强,温度的微观解释,能量均分定理,麦克斯韦速率分布律,气体分子的平均自由程。

(七)熟练掌握热力学的物理基础,其中包括:

热力学过程,功,热量,热力学第一定律,热容量,气体的内能,第一定律对理想气体的应用,循环过程,卡诺循环,热力学第二定律,不可逆性,熵,熵增加原理。

参考教材或主要参考书

1.《力学》漆安慎等编,高等教育出版社,2012年;

2.《热学》李椿等编,高等教育出版社,2015

 

科目代码、名称:   半导体物理与器件

考试形式与试卷结构

试卷满分值及考试时间

本试卷满分为100分,考试时间为120分钟。

(二)答题方式

答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成;答案必须写在答题纸(由考点提供)相应的位置上。

(三)题型结构

简答题和问答题。

二、考试科目简介

本课程是基于量子力学和固体物理知识基础上全面地论述了半导体的一些基本物理概念、现象、物理过程及其规律,并在此基础上选择目前集成电路与系统的核心组成部分,如半导体异质结构、金属-绝缘层-半导体(MIS)结构等,作为分析讨论的主要对象来介绍半导体器件以及基本工作原理。重点要求学生掌握半导体材料和器件物理方面的基本理论、基本知识和方法。本课程为研究生的半导体集成电路、激光原理与器件、功能材料等后续课程的学习奠定必要的理论基础,也为将来从事微电子学的研究以及集成电路系统的设计与制造打下坚实的理论基础。

三、考试内容及具体要求

全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容。重点考试内容为第二、三、四部分。

第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理基础;

第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;

第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。

第四部分光子器件和功率半导体器件。

参考教材或主要参考书

1.《半导体物理与器件》裴素华等著,机械工业出版社,2008年。

2.《半导体物理与器件》尼曼著,赵毅强译,电子工业出版社,2010年。



科目代码、名称:   光学

考试形式与试卷结构

试卷满分值及考试时间

本试卷满分为100分,考试时间为120分钟。

(二)答题方式

答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成;答案必须写在答题纸(由考点提供)相应的位置上。

(三)题型结构

计算题

二、考试科目简介

光学主要研究光(电磁波)的行为和性质,以及光和物质相互作用。传统的光学只研究可见光,现代光学已扩展到对全波段电磁波的研究。如今常说的光学是广义的,是研究从微波、红外线、可见光、紫外线直到X射线的宽广波段范围内的,关于电磁辐射的发生、传播、接收和显示,以及跟物质相互作用的科学。要求熟练掌握几何光学,光的干涉、衍射、偏振等基本现象、原理和规律,并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。考试的重点放在熟练掌握几何光学的基本定律;光的干涉现象、相干性原理;光的衍射现象、惠更斯-菲涅耳原理;自然光和偏振光的性质和调控。

二、考试内容及具体要求

(一)、几何光学:理解光线,折射率、光程、光学系统等物理概念;费马原理和几何光学基本定律的相互推导;球面(平面)反射或折射成象中的近似性、理想光具组的基点与光具组复合理论,厚透镜与透镜组的合成公式。

(二)、光的干涉:了解光的干涉现象,理解光波的时空特性及其表达式,分析光波的叠加性和相干性的物理图像,重点掌握相干条件及其实现的方法;以杨氏双缝干涉为重点,分析双光束干涉形成的条件以及光强分布的特征;分析薄膜干涉的规律,理解等倾干涉、等厚干涉区别。掌握等厚干涉(以尖劈、牛顿环为例)的规律及其应用。

(三)、光的衍射:了解光的衍射现象,理解惠更斯-菲涅耳原理的物理思想及其积分表达式的意义;掌握半波带法,分析菲涅耳圆孔衍射,了解波带片的原理及应用;掌握夫琅和费单缝衍射的特征和它的衍射光强公式;重点掌握光栅衍射的特征、衍射光强公式和光栅方程,掌握光栅的分辨本领,了解夫琅和费衍射的思想;了解夫琅和费圆孔衍射光强公式,理解爱里斑角半径的物理意义。

(四)、光的偏振:理解自然光、平面偏振光、部份偏振光、圆偏振光和椭圆偏振光的概念及其检验方法;掌握布儒斯特定律和马吕斯定律;了解单轴晶体的双折射现象和特点,运用惠更斯双层波面作图法解释双折射现象;了解偏振片、尼科耳棱镜和沃拉斯顿棱镜的构造和作用;理解1/41/2波晶片的作用,掌握平行平面偏振光干涉的条件及其实现的方法。

参考教材或主要参考书

1.《光学教程》(第五版),  姚启钧著,高等教育出版社,2019年。

2.《新概念物理教程--光学 》,赵凯华主编,高等教育出版社,2004年。



科目代码、名称:   集成电路工艺原理

考试形式与试卷结构

试卷满分值及考试时间

本试卷满分为100分,考试时间为120分钟。

(二)答题方式

答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成;答案必须写在答题纸(由考点提供)相应的位置上。

(三)题型结构

简答题和综合题。

二、考试科目简介

集成电路工艺原理课程是微电子学、电子科学与技术和其他相关专业的理论基础课。作为微电子科学专业的硕士研究生,要求对于集成电路工艺中涉及的基本概念及原理有比较深入的了解和掌握。以当代超大规模集成电路的小尺寸特征为切入点,围绕抑制小尺寸效应的现代工艺技术,展开介绍了目前较为成熟的集成电路制造工艺技术,重点考试核心工序及关键制造工艺过程的基本原理,其中包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺以及工艺集成等内容。

三、考试内容及具体要求

(一)熟练掌握集成电路制造技术的发展历程,集成电路制造技术特点,其中包括:集成电路的分类及其特点,摩尔定律,制备技术要求和面临的挑战与发展机遇。

(二)熟练掌握集成电路制造工艺过程中材料的特性与制备,其中包括:硅晶体的结构特点,硅晶体中的杂质和缺陷,多晶硅的制备与纯化,单晶硅的生长与切片。

(三)熟练掌握薄膜淀积的基本原理,其中包括:外延技术(气相外延、分子束外延、液相外延,外延缺陷与外延层检测),化学气相淀积(CVD工艺原理、工艺方法,CVD生长二氧化硅、氮化硅以及多晶硅薄膜),物理气相淀积(真空系统、真空蒸镀、溅射原理、等离子体)。

(四)熟练掌握热氧化的基本原理,其中包括:硅的热氧化,初始氧化阶段及薄氧化层制备,热氧化过程中杂质的再分布,氧化层质量及检测。

(五)熟练扩散和离子注入等掺杂技术的基本原理,其中包括:晶体中热扩散的基本特点与宏观动力学方程,杂质的扩散掺杂,影响杂质分布的因素。离子注入的原理,注入离子在靶中的分布,注入损伤,离子注入设备与工艺,掺杂新技术。

(六)熟练掌握光刻工艺和光刻技术的基本原理,其中包括:光刻工艺基本流程,光刻胶,正性与负性光刻,对准与曝光技术,显影,光刻设备,光学分辨率增强技术,光刻掩模版,熟悉光刻技术中的常见问题。

(七)熟练掌握刻蚀技术的基本原理,其中包括:湿法刻蚀和干法刻蚀,刻蚀工艺要求,刻蚀应用举例,刻蚀技术新进展。

(八)熟练掌握金属化与互连的基本原理,其中包括:硅-金属的接触,钨填充塞,Cu金属互连,CMP工艺和多层互连等。

了解工艺集成与监控、封装与测试的基本原理:CMOS集成电路工艺,双极型集成电路工艺,工艺实时监控与检测,集成结构测试图形、芯片封装技术,集成电路测试技术。

四、参考教材或主要参考书

1.《现代集成电路制造工艺原理》李惠军等编,山东大学出版社,2006年;

2.《集成电路制造技术-原理与工艺》王蔚等编,电子工业出版社,2013年。

 



  

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